全干法深刻蚀硅溶片制造方法

【申请号】 03112020
【发明名称】 全干法深刻蚀硅溶片制造方法
【摘要】
        本发明公开了一种全干法深刻蚀硅溶片制造方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统器件结构的制造。它采用玻璃片、硅片、硅片的三层结构。利用全干法工艺实现ＭＥＭＳ可动硅结构制造。并且本发明还具有制造工艺简单，能采用普通常用工艺设备制造及封装，降低了制造成本。制造的可动硅结构厚度较厚，提高了器件的电气性能和可靠性，能普及应用于ＭＥＭＳ惯性器件、光学器件、微波器件、压力传感器件等多种ＭＥＭＳ器件制造。
【申请人】     中国电子科技集团公司第十三研究所
【联系地址】 河北省石家庄市合作路113号38分箱
【邮编】       050051
【发明人】   吕苗、何洪涛
【公开号】    1439598
【公告日】